Karakterisering van ALD lagen

De steeds verdergaande miniaturisering van geintegreerde circuits heeft recent geleid tot de vervanging van traditionele depositiemethoden door Atomic Layer Deposition (ALD). ALD lagen voldoen aan hoge eisen met betrekking tot het sluiten van de lagen en de homogeniteit en worden gebruikt als diffusiebarrieres of diëlectrische lagen. LEIS is een vaste waarde geworden voor het testen van deze dunne lagen. Figuur 1 toont LEIS data voor WNxCy-lagen die gemaakt zijn met verschillende aantallen ALD cycli. Het doel van deze samenwerking met ASM was om een ALD proces voor de fabricage van zo dun mogelijke diffusiebarrieres zonder pinholes te optimaliseren. Met LEIS werd de elementsamenstelling van de buitenste atoomlaag en de dikte van de ALD laag kwantitatief bepaald. De uitwerking van de data leidde tot de grafiek in figuur 2. Het laat zien dat de WNxCy laag is gesloten na 50 ALD cycli. Daarnaast maakt de data het mogelijk om conclusies te trekken over de groeikinetiek van de ALD lagen.

 

 U kunt de application note hier downloaden: