ToF-SIMS 

ToF-SIMS maakt het ons mogelijk om de atomaire en moleculaire samenstelling van de buitenste 1-3 monolagen van een vaste stof te bepalen (Statische SIMS). Het te onderzoeken oppervlak wordt gebombardeerd met geladen deeltjes (ionen) met energieen tot aan 30 keV. De daardoor uit het oppervlak vrijgekomen secundaire ionen worden geanalyseerd op hun massa. Elementen en moleculen kunnen parallel bepaald worden. Het gebruik van Time-of-Flight massaspectrometers zorgt voor een lage detectielimiet (ppb, fmol). Het kwantificeren van de resultaten is mogelijk met behulp van referentiemonsters. Semikwantitatieve data kunnen worden verkregen wanneer de te vergelijken monsters een vergelijkbare chemie hebben.

De methode geeft beelden met routinematig een laterale resolutie van 300 nm. Door het ionenbombardement voort te laten duren kan het monster laag voor laag "geschild" worden (diepteprofilering, sputtering, dynamische SIMS). Op deze manier wordt elementinformatie geregistreerd als functie van de diepte. Hoewel het intensieve ionenbombardement in het algemeen organische bindingen beschadigt, is het onder bepaalde omstandigheden mogelijk om moleculaire informatie te verkrijgen (organische diepteprofilering). Wanneer de beelden en de diepteprofielen gecombineerd worden kan de 3-dimensionale opbouw van het monster zichtbaar gemaakt worden (3D-micro analyse).

De eisen aan de monsters zijn relatief gering. Gewoonlijk kunnen monsters "as is" geanalyseerd worden. Het materiaal moet stabiel genoeg zijn in een vacuümomgeving. Naast vaste materialen kunnen ook poeders en vloeistoffen geanalyseerd worden. Meer informatie vindt u onder ToF-SIMS.pdf.

Synoniemen / Verwante technieken

  • Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry
  • Time-of-Flight Secundaire ionen massaspectrometrie

Voorbeelden van toepassingen