tascon aktuell

Juli 2016

Besuchen Sie uns auf der ALD 2016, der internationalen Konferenz zur Atomic Layer Deposition (ALD) in Dublin

Atomic Layer Deposition (ALD) wird für die Herstellung von ultradünnen und konformen Dünnschichtstrukturen für viele Halbleiter und Dünnschichtbauteilanwendungen benutzt. ALD ist besonders für fortschrittliche Technologien von Vorteil, die eine Kontrolle der Schichtstruktur auf der Nanometer- und Subnanometerscala erfordern. Für die Charakterisierung von Dünnschichten werden Techniken der Oberflächenanalytik mit hinreichender Oberflächenempfindlichkeit benötigt. Das gilt sowohl für die Analyse der kompletten Schicht als auch für die Untersuchung des Wachstumsverhaltens.

Low Energy Ion Scattering (LEIS) ist empfindlich für die äußerste atomare Lage. Es bietet eine quantitative Elementanalyse der ersten atomaren Lage und Informationen über tiefere Schichten. Es beleuchtet Aspekte wie Schichtgeschlossenheit, Schichtdicke und Schichthomogenität, besonders am Beginn des Schichtwachstum. X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) ist gut geeignet für die Analyse des Aufbaus des gesamten Films: gemischte Schichten, Verunreinigungen, Effekte der Behandlungen. Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) hat seine Stärken in Sputter-Tiefenprofilen und in der Spurenelementanalyse.

Besuchen Sie unseren Experten für LEIS und Oberflächenanalytik, Dr. Michael Fartmann am Tascon Stand.

 

Mai 2016

Gütesiegel "Innovativ durch Forschung" für die Tascon

Der Stifterverband hat die Tascon GmbH für Ihre Forschungsaktivitäten im Jahr 2015 mit dem Gütesiegel "Innovativ durch Forschung" ausgezeichnet. Grundlage waren die methodischen Weiterentwicklungen der analytischen Technologien LEIS, ToF-SIMS und XPS. Auf Basis der Arbeiten des Tascon F&E Teams können diese Technologien nun routinemäßig für die Analytik von Batterie- und Nanomaterialien eingesetzt werden.

Oktober 2015

Vortrag - AVS 2015: 30 Jahre (ToF-)SIMS Analysen organischer Materialien

In diesem Jahr wird Frau Dr. Birgit Hagenhoff auf der AVS in San Jose im Rahmen eines eingeladenen Vortrages den Entwicklungsweg des (ToF-)SIMS Verfahrens zu einer der leitungsfähigsten Charakterisierungsmethoden organischer Oberflächen darstellen. Sollten Sie ebenfalls an der Analyse Ihrer organischen Proben mit modernem ToF-SIMS Equipment interessiert sein, können Sie Frau Hagenhoff gerne direkt auf der AVS oder unter der Tascon EMailadresse (tascon(at)tascon-gmbh.de) kontaktieren.

September 2015

Publikation: Charakterisierung von Graphenschichten mittels niederenergetischer Ionenstreuung (LEIS)

Im Rahmen einer wissenschaftlichen Kooperation unter Beteiligung von Dr. Rik ter Veen und Dr. Michael Fartmann seitens der Tascon wurden Graphenschichten mittels niederenergetischer Ionenstreuung (LEIS) erfolgreich charakterisiert. Die nun in der Zeitschrift Langmuir publizierten Daten zeigen, dass eine effektive Kontrolle von Graphenherstellungs- und transferprozessen mit der LEIS möglich ist. Weitere Details finden Sie unter folgendem Link.

Dezember 2014

Technisches Kolloquium: Unter der chemischen Lupe: Moderne Oberflächen- und Nanoanalytik

Falls Oberflächenbehandlung und -analytik zu Ihren Themen gehören, sollten Sie sich den 15.10.2014 vormerken! An diesem Tag wird Frau Dr. Hagenhoff (Tascon GmbH) im Rahmen des kostenfreien GWP Kolloqiums die wichtigsten Techniken der Oberflächen- und Nanoanalytik vorstellen und anhand verschiedener Fallbeispiele deren Leistungsvermögen verdeutlichen.

Veranstaltungsort und Zeit

Seminarraum der GWP; 15.10.2014; 17-20 Uhr

GWP Gesellschaft für Werkstoffprüfung mbH
Georg-Wimmer-Ring 25
85604 Zorneding bei München

Weitere Informationen finden Sie unter GWP academy.

November 2013

kostenfreies Fortbildungsseminar in München am 27.11.13

Am 27.11.13 leitet Frau Dr. Hagenhoff ein Fortbildungsseminar im Großraum München zum Thema:

"Unter der chemischen Lupe: angewandte Oberflächenanalytik"

Die Veranstaltung ist kostenfrei. Hier die genauen Daten:

Veranstaltungsort und Zeit

technisches Kolloqium TKQ 01268; 27.11.13; 17-20 Uhr

GWP Gesellschaft für Werkstoffprüfung mbH
Georg-Wimmer-Ring 25
85604 Zorneding bei München

Fragen / Anmeldung

Ansprechpartnerin: Christiane Christl
T 08106 / 994 112
F 08106 / 994 111
christiane.christl@gwp.eu

November 2013

REM- und XPS-Verstärkung am Standort Frankfurt

Wir freuen uns, Frau Iris Schneider am Standort Frankfurt als neue Mitarbeiterin begrüßen zu dürfen. Frau Schneider verstärkt ab sofort unser XPS-Team. Frau Schneider verfügt darüberhinaus über langjährige Erfahrung im Einsatz der Rasterelektronenmikroskopie (REM) und wird auch diese Erfahrung in unsere Firma einbringen. REM-Aufträge nimmt sie daher gerne entgegen. Sie erreichen Frau Schneider unter der Telefonnummer: 06196-5619-251 sowie über die Email-Adresse: iris.schneider@tascon-gmbh.de.

August 2013

"Summer School on Materials Characterisation" des CCMX

Dr. Michael Fartmann wird die Tascon bei der diesjährigen "CCMX Summer School on Materials Characterisation" der EPFL in Lausanne (26.-28.08.2013) vertreten. Im Rahmen dieses Seminars wird er die Flugzeitsekundärionenmassenspektrometrie (ToF-SIMS) als vielfältiges analytisches Werkzeug vorstellen und Ihnen auch im Hinblick auf Ihre konkreten Fragestellungen gerne Rede und Antwort stehen.

Februar 2013

Die Tascon GmbH ist umgezogen!

Ab 01.02.2013 hat die Tascon GmbH ein neues Zuhause. Wir werden in Zukunft mehr Platz für Labore, Büros und Besucherbereiche haben und freuen uns auf Sie!

Tascon GmbH
Mendelstr. 17
D-48149 Münster
Phone: +49-(0)251-625622-100
Fax: +49-(0)251-625622-101
www.tascon.eu
 

 

September 2012

Einführungsseminar ToF-SIMS während der SIMS Europe 2012

Die Flugzeitsekundärionenmassenspektrometrie (ToF-SIMS) ist eines der leistungsfähigsten Analyseverfahren in der modernen Oberflächenanalytik. In Kooperation mit den Veranstaltern der SIMS Europe bietet die Tascon eine ganztägige Einführung in das ToF-SIMS Verfahren an. Das Seminar wird am 09.09.2012 ab 09:15 im Hörsaal des Physikalischen Instituts der Universität Münster durchgeführt und in die Grundlagen und Applikationen der ToF-SIMS einführen. Das Programm richtet sich bewusst an ToF-SIMS interessierte Einsteiger. Die Teilnahme an dieser Einführungsveranstaltung ist für Teilnehmer der SIMS Europe (Tagungsgebühr 100€) kostenfrei. Nähreres unter: SIMS Europe 2012

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